德国总理默克尔于6月12日对中国进行为期三天的正式访问。期间，中德双方表示当前正积极推进“中国制造2025”同德国“工业4.0”对接，并进一步推动中德两国在智能制造合作上迈出实质步伐。英飞凌作为行业的领跑者以及德国工业4.0的创始成员之一，一直以来深谙“中国制造”的新机遇，始终凭借德国先进的技术和解决方案助力“中国制造2025”。

       近日，在上海举办的2016上海国际电力元件、可再生能源管理展览会上，英飞凌再次携多款创新产品亮相，英飞凌以其独有的技术、产品和服务为太阳能等可再生能源、轨道交通、输配电等智能制造应用领域持续发力。

 

绘中国制造业的未来蓝图

        近年来，为加快中国从制造大国转向制造强国，国家提出了三个十年“三步走”的战略：第一个十年，到2025年实现中国进入制造强国之列；第二个十年，到2035年，进入世界强国的中位；第三个十年，也即到2045年，中国要进入世界制造强国的领先地位。“中国制造2025”是三步走中第一个十年的行动纲领，并明确提出重点聚焦的十大行业是新一代信息技术产业、高端数控机床和机器人、航空航天装备、海洋工程装备及高技术船舶、先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力设备、新材料、生物医药及高性能医疗器械等。

        “中国制造2025”的十大重点领域中，英飞凌有八大侧重领域与之高度吻合。此次，亮相英飞凌展台的产品以及系统解决方案重点聚焦在轨道交通、输配电、可再生能源以及智能制造等多个领域，对接“中国制造2025”。

         英飞凌长期聚焦中国市场及公司的本土化，并致力于为中国的发展作出力所能及和应有的贡献。英飞凌工业功率控制事业部中国区负责人于代辉表示：“英飞凌深刻理解作为中国国家战略的‘中国制造2025’蓝图面临着与德国不同的现实与挑战，英飞凌愿提供自身在生产执行系统(MES)设计领域所积累的经验与知识，以中德政府间在智能制造领域的合作为契机，结合我们在工业生产制造领域的半导体产品及解决方案，携手本土和国际合作伙伴，积极参与‘中国制造2025’并提供相关咨询，为这一蓝图的早日实现贡献绵薄之力。”

英飞凌科技（中国）有限公司工业功率控制事业部中国区负责人-于代辉

 

SiC MOSFET：值得信赖的创新

        英飞凌是全球半导体领域的领导者，据IHS Research数据调查显示，英飞凌在分立式IGBT半导体市场占有率位列全球第一，在IGBT模块市场占有率排名第二，在全球IGBT产品（模块和分立式器件）占有率市场排名第一。

        英飞凌之所以能在半导体领域保持“一枝独秀”，主要归功于其保持不断创新的能力。20多年来，英飞凌一直走在开发碳化硅解决方案的最前列，致力于满足用户对节能、缩减尺寸、系统集成和提高可靠性的需求。此次展会上，英飞凌推出革命性的碳化硅MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上大幅提升。

        英飞凌工业功率控制事业部总监马国伟博士指出：“英飞凌制造出数百万件含有SiC器件的产品，而我们的肖特基二极管和J-FET技术使设计人员能够实现利用传统芯片不可能达到的功率密度和性能。该解决方案现在朝前迈出了一大步，将功率MOSFET涵盖在内，这使得从SiC技术获得的益处将被提升到前所未有的新水平。”

        SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。这能带来诸多益处，如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量，便于打造更小、更轻的系统，从而减少运输工作量，并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现。这些应用的性能、效率和系统灵活性也将提升至全面层面。

         全新1200 V SiC MOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200 V硅（Si）IGBT低了一个数量级。这在最初可以支持光伏逆变器、不间断电源（UPS）或充电/储能系统等应用的系统改进，此后可将其范围扩大到工业变频器。

         另外，英飞凌还宣布推出基于SiC MOSFET技术的1200 V‘Easy1B’半桥和升压模块。这些模块采用PressFIT连接，有良好的热界面、低杂散电感和坚固的设计，每种封装的模块均有11 mΩ和23 mΩ的RDS(ON)额定值选项。马国伟博士表示：“英飞凌将于2016年下半年开始生产面向目标应用的样品，计划2017年量产。”

         本次展会上，英飞凌还展示了结合IGBT5和创新.XT技术的新一代 PrimePACK™、革命性封装 XHP™（灵活高功率半导体平台）等创新产品。此外，本次展会上的另一亮点是英飞凌携手机械工业出版社隆重推出IGBT专著 《IGBT模块：技术、驱动和应用》中文版。

 

助力中国轨道交通

        对于中国轨道交通自主创新发展与“走出去”，英飞凌功不可没。2014年1月， CIT500型的试验速度达到了605公里/小时；2014年3月，中国签下高端轨道交通装备整车出口的最大订单；2014年4月，和谐1型电力机车在大秦线牵引3万吨组合列车试验成功，这些见证中国轨道交通装备里程碑式发展的背后都深藏着英飞凌默默的付出和奉献。

        最值得一提的是，中国自主研发的350公里标准高速动车组上一样装载有英飞凌的IGBT产品。马国伟博士表示：“轨道交通产业链非常长，我们在前端做功率器件IGBT并用于牵引变流器等部件。”不可否认，相较于轨道交通列车这一庞然大物而言，IGBT显得十分渺小，它也许就是轨道交通列车中万分之一甚至十万分之一的小部件。不过，小产品也有大作为。马博士认为：“功率器件的质量、性能决定着列车跑得快不快，性能是否稳定，刹车是否快速等等。”因此，轨道交通的发展，对IGBT技术挑战极限非常高。对此，马博士表示，轨道交通和电网两个行业不断推动着我们去开发新的产品，也只有这两个行业，才能将IGBT的技术推向更高的未来。

英飞凌科技香港有限公司工业功率控制事业部总监-马国伟博士

 

        当前，轨道交通产业占有英飞凌总业务量将近20%，也是英飞凌重点发展的产业之一。于代辉表示：“英飞凌是中国轨道交通最早的一批提供商，我们在轨道交通行业有着丰富的经验，我们了解客户需求，并能快速响应客户需求，我们有着一支庞大的全球本地化服务团队，我们专注IGBT行业。”专注、专业、快速响应客户需求，这是英飞凌在轨道交通领域所展现出来的优势。今天，中国的轨道交通正以雨后春笋般态势向前发展，英飞凌助力中国轨道交通的发展还有很长很远的路要走。

        英飞凌是一家可持续发展潜力巨大的科技公司，据RobecoSAM称，英飞凌是全球最具可持续发展潜力的前15%公司之一，因而被列入《可持续发展年鉴》。

        英飞凌也是一家具有强烈社会责任感的公司。英飞凌的产品和解决方案大力推动节能减排工作的落实，数据显示，2014年，英飞凌实现减排二氧化碳约1,300万吨，2015年，实现减排二氧化碳约3,500万吨。业界皆知，功率半导体与电力电子应用密不可分，英飞凌一直以来凭借着在功率半导体领先技术、为各类工业应用开发高质量的功率半导体产品和解决方案。不仅如此，英飞凌还致力于功率半导体应用技术的开发和合作，通过与中国高校和企业的合作，交流应用的技术需要和发展方向，开发和分享先进应用技术，并为“中国制造2025”源源不断地输送人才。